| 106學年第1學期課程綱要 |
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| 一、課程基本資料 |
| 開課序號 | 2670 | 課程學制 | |
| 科目代碼 | OEC7013 | 課程名稱 | 半導體物理 |
| 英文名稱 | Semiconductor Devices Physics | ||
| 全/半年 | 半 | 必/選修 | 選修 |
| 學分數 | 3.0 | 每週授課時數 | 正課時數: 3 小時 |
| 開課系級 | 舊光電所（碩）大碩博合開 | ||
| 先修課程 | |||
| 課程簡介 | 本課程旨在介紹由矽原子特性介紹，而後逐一介紹相關元件原理，最後進入到PN接面及MOSFET的了解。 | ||
| 課程目標 | 對應系所核心能力 | ||
| 1. 介紹晶格結構、能帶與載子掺雜、載子濃度及費米能階、載子傳輸及複合與PN介面 | 碩士: 1-4 具備發現問題與獨立解決問題的能力 博士: 2-3 具有理性溝通、清楚表達的能力 |
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| 2. 探討起動電壓、漏電流、與崩潰電壓於IC設計的應用 | 碩士: 1-2 具有執行光電基礎實驗的動手操作能力 博士: 2-4 具有理解光電產業發展現況的能力 |
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| 3. MOS元件其工作原理與概念之瞭解並對基本元件物理有透徹的瞭解 | 碩士: 1-4 具備發現問題與獨立解決問題的能力 博士: 2-4 具有理解光電產業發展現況的能力 3-2 具備高度挫折耐受力 |
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| 4. 參觀實驗室並了解相關操作與原理 | 碩士: 1-3 能夠分析與詮釋實驗數據 博士: 4-2 具有抱持懷疑的求知態度 |
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| 二、教學大綱 |
| 授課教師 | 李敏鴻 | ||
| 教學進度與主題 | |||
| 週次教學大綱及進度 1Class Introduction 2晶格結構 3能帶與載子掺雜 4載濃度及費米能階 5載子傳輸及複合 6PN接面(1) 7PN接面(2) 8PN接面(3) 9期中測驗評量 10參觀電性量測實驗室 11蕭基接面 12MOS二極體 13MOSFET 電晶體 (1) 14MOSFET 電晶體 (2) 15太陽能電池操作 16奈米電子元件 18期末測驗評量 | |||
| 教學方法 | |||
| 方式 | 說明 | ||
| 講述法 | |||
| 問題解決教學 | |||
| 實驗/實作 | |||
| 實地考察、參訪 | |||
| 媒體融入教學 | |||
| 評量方法 | |||
| 方式 | 百分比 | 說明 | |
| 作業 | 5 % | ||
| 期中考 | 20 % | ||
| 期末考 | 30 % | ||
| 課堂討論參與 | 20 % | ||
| 其他 | 25 % | ||
| 參考書目 | 1. S. M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology, ” John Wiley & Sons. 2. Yuan Taur and Tak H. Ning, “Fundamentals of modern VLSI Devices, ”, 1998. 3. 李敏鴻、張書通, “新世代積體電路製程技術-應變矽製程,” 東華出版社, 2011. 4. 魏拯華, 李敏鴻, 劉致為, “奈米電子學, ” 台大出版中心, 2006. 5. http://www.stanford.edu/class/ee311/ | ||